Japonlar üretime başladı: 2 nanometre, teknolojide dengeleri değiştirecek

Japonya merkezli yarı iletken firması Rapidus, 2 nanometre (nm) çip üretim sürecinde önemli bir aşamaya ulaştı. Şirket, yeni nesil Gate-All-Around (GAA) mimarili transistörlerin test üretimine resmen başladı. Üretim çalışmaları, Chitose kentindeki IIM-1 fabrikasında yürütülüyor.

SERİ ÜRETİM ÖNCESİ KRİTİK ADIM

Test üretiminde elde edilen 2nm yongaların, elektriksel performans açısından belirlenen teknik kriterleri karşıladığı açıklandı. Eşik voltajı, iletim ve sızıntı akımı ile geçiş eğimi gibi parametrelerin ölçüldüğü belirtildi. Her ne kadar teknik detaylar kamuoyuyla paylaşılmasa da, test çiplerinin üretim hattına dahil edilmesi, Ar-Ge sürecinin teknik olarak başarıyla ilerlediğini ortaya koyuyor.

ÜRETİM ALTYAPISI 2023'TEN BERİ HAZIRLANIYOR

IIM-1 tesisindeki üretim altyapısının temelleri 2023 yılının Eylül ayında atıldı. Temiz oda inşası 2024'te tamamlanırken, 2025 Haziran itibarıyla DUV ve EUV litografi makineleri dahil 200’den fazla üretim ekipmanı devreye alındı. EUV sistemlerinin kurulumu ise 2024 Aralık ayında tamamlandı ve 2025 Nisan'ında ilk üretim denemeleri yapıldı.

TÜM PLAKALAR TEK TEK İŞLENECEK

Rapidus’un benimsediği üretim yöntemi sektörde dikkat çekiyor. Şirket, tüm üretim adımlarında “tekli plaka işleme” sistemini uygulayacağını duyurdu. Bu yöntemde, her yarı iletken plakası ayrı ayrı işleniyor ve kontrol ediliyor.

Günümüzde TSMC, Samsung ve Intel gibi üreticiler bu yöntemi yalnızca belirli adımlarda kullanırken, Rapidus oksidasyon, iyon implantasyonu ve temizleme dahil tüm işlemleri bu yöntemle gerçekleştirmeyi hedefliyor.

AVANTAJLARI KADAR ZORLUKLARI DA VAR

Bu üretim sistemi sayesinde her plaka gerçek zamanlı analiz edilebiliyor, hatalar erken tespit ediliyor ve süreç dinamik olarak optimize edilebiliyor. Ancak yöntemin bazı dezavantajları da bulunuyor. Üretim süresinin uzaması, maliyetlerin artması ve karmaşık ekipman ihtiyacı, dikkat çeken teknik zorluklar arasında yer alıyor.

Buna rağmen Rapidus, düşük hata oranı, yüksek verimlilik ve esnek üretim altyapısı sayesinde bu yöntemin uzun vadede 2nm ve ötesi teknolojilerde rekabet avantajı sağlayacağını savunuyor.